真空鍍膜的種類

 在真空中製備膜（mó）層，包括鍍製晶態的金屬（shǔ）、半導體（tǐ）、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也（yě）采用減壓、低壓或等離子（zǐ）體等（děng）真空手段，但一般真空鍍膜是指用（yòng）物理的方法沉積薄膜。真空（kōng）鍍（dù）膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離（lí）子鍍。

蒸發鍍膜 通過（guò）加熱蒸發某種物質使（shǐ）其沉積在固體表麵，稱為蒸（zhēng）發鍍膜。這種方法最早由M.法拉（lā）第於1857年提出，現代已成為常（cháng）用鍍膜技術之一。

蒸發（fā）物質如金屬、化合物等置（zhì）於坩堝內或掛在熱絲上作為（wéi）蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待係統（tǒng）抽至高真空後，加熱坩（gān）堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以（yǐ）冷凝方式沉（chén）積在基片表麵。薄膜厚（hòu）度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速（sù）率（lǜ）和時間（或決定（dìng）於裝（zhuāng）料量），並與源和基片的距離有關。對於大麵積鍍膜，常（cháng）采（cǎi）用旋轉基片（piàn）或多（duō）蒸發源（yuán）的（de）方（fāng）式以保證（zhèng）膜層厚度（dù）的均勻性。從蒸發源到基片（piàn）的距離（lí）應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自（zì）由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均（jun1）動能約為0.1～0.2電（diàn）子（zǐ）伏。

蒸發源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔（bó）或絲狀,通以電（diàn）流（liú）,加熱（rè）在它（tā）上方的（de）或置（zhì）於坩堝中的蒸發物質,電阻加熱源（yuán）主要用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高（gāo）頻感應加熱源：用高頻（pín）感應電流（liú）加熱（rè）坩堝和蒸（zhēng）發（fā）物質。③電子束加熱源（yuán）：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即（jí）用（yòng）電子束轟擊材料使其蒸發。

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